AbstractDie Messung der Dunkelleitfähigkeit von Cadmiumsulfid bei thermischer Erregung ergab nach Ausschaltung von Randschichteinflüssen im log σ%T−1‐Diagramm Geradenstücke verschiedener Neigung, die sich mit jeweils einem Knick aneinanderschließen. Es kann gezeigt werden, daß dieses Verhalten der Leitfähigkeit hauptsächlich von der Elektronenkonzentration im Leitfähigkeitsband bestimmt wird. Die für diese Elektronenkonzentration bestimmende Ablösearbeit wird durch die Lage der Fermigrenze entscheidend beeinflußt, welche sich in ihrer energetischen Lage in Abhängigkeit von der Temperatur und der Störstellenkonzentration ändert. Eine genauere Untersuchung zeigt, daß bereits ein Modell, welches je eine Gruppe von Haft‐ und Aktivatortermen diskreter Energie enthält, deren Konzentration bei höheren Temperaturen durch Erhöhung des statistischen Fehlordnungsgrades mit der Temperatur zunimmt, den experimentellen Befund richtig wiedergibt. Es ist überdies zu vermuten, daß auch im Falle des CdS zumindest ein Teil der Aktivatorterme energetisch ober