Summary Abstract: The MBE growth of GaAs free of oval defects

 

作者: G. D. Pettit,   J. M. Woodall,   S. L. Wright,   P. D. Kirchner,   J. L. Freeouf,  

 

期刊: Journal of Vacuum Science&Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena  （AIP Available online 1984）
卷期: Volume 2, issue 2  

页码: 241-242

 

ISSN:0734-211X

 

年代: 1984

 

DOI:10.1116/1.582794

 

出版商: American Vacuum Society

 

数据来源: AIP

 

 

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