Summary Abstract: Two‐stage process for silicide formation at metal–silicon interfaces

 

作者: R. J. Nemanich,   B. L. Stafford,   W. B. Jackson,   M. J. Thompson,   J. R. Abelson,   T. W. Sigmon,  

 

期刊: Journal of Vacuum Science&Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena  （AIP Available online 1984）
卷期: Volume 2, issue 3  

页码: 588-588

 

ISSN:0734-211X

 

年代: 1984

 

DOI:10.1116/1.582848

 

出版商: American Vacuum Society

 

数据来源: AIP

 

 

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