AbstractBedingungen für den diffusionsbestimmten Aufbau starker Raumladungsfelder in Halbleitern und Photohalbleitern werden abgeleitet. Unter der Voraussetzung, daß eine (geringe) Feldemission aus Haftstellen oder Donatoren ins Leitfähigkeitsband stattfindet und daß die Haftstellen‐ bzw. Donatorenkonzentration genügend groß ist gegenüber der Konzentration freier Elektronen klingt beim Überschreiten einer gewissen Grenzfeldstärke des homogenen Feldes eine lokale Schwankung der Feldstärke (oder Trägerkonzentration) nicht mehr ab, sondern kann unter Abwanderung zur Anode oder Kathode schon auf Strecken von 10−3−10−4cm exponentiell auf ein Vielfaches des ursprünglichen homogenen Feldes anwachsen. Amplifikation, Fortflanzungseigenschaften, Dispersion und Ausdehnung der Raumladungsschichten werden berechnet. Der Einfluß derartiger Raumladungsfelder auf den Felddurchschlag bleibt Gegenstand wei