Depth profile studies of extended defects induced by ion implantation in Si and Al

 

作者: S.T. Picraux,   D.M. Follstaedt,   P. Baeri,   S.U. Campisano,   G. Foti,   E. Rimini,  

 

期刊: Radiation Effects  （Taylor Available online 1980）
卷期: Volume 49, issue 1-3  

页码: 75-79

 

ISSN:0033-7579

 

年代: 1980

 

DOI:10.1080/00337578008243072

 

出版商: Taylor & Francis Group

 

数据来源: Taylor

 

 

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