Summary Abstract: The chemical nature and atomic structure of midgap levels in molecular‐beam epitaxially grown AlxGa1−xAs

 

作者: M. G. Spencer,   T. A. Kennedy,   R. Magno,  

 

期刊: Journal of Vacuum Science&Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena  （AIP Available online 1988）
卷期: Volume 6, issue 2  

页码: 647-648

 

ISSN:0734-211X

 

年代: 1988

 

DOI:10.1116/1.584379

 

出版商: American Vacuum Society

 

关键词: (Al,Ga)As

 

数据来源: AIP

 

 

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