Response to ‘‘Comment on ‘Physical processes in degradation of amorphous Si:H’ ’’ [Appl. Phys. Lett.49, 478 (1986)]

 

作者: David Redfield,  

 

期刊: Applied Physics Letters  （AIP Available online 1986）
卷期: Volume 49, issue 8  

页码: 478-479

 

ISSN:0003-6951

 

年代: 1986

 

DOI:10.1063/1.97123

 

出版商: AIP

 

数据来源: AIP

 

 

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