High Spatial Resolution Raman Investigations: of Grown‐in Dislocations in Si‐doped GaAs

 

作者: O. Pätzold,   G. Irmer,   J. Monecke,  

 

期刊: Crystal Research and Technology  （WILEY Available online 1992）
卷期: Volume 27, issue 1  

页码: 11-16

 

ISSN:0232-1300

 

年代: 1992

 

DOI:10.1002/crat.2170270126

 

出版商: WILEY‐VCH Verlag

 

数据来源: WILEY

 

 

点击下载:  PDF (292KB)

返 回