Growth on Spiral Dislocations in Heavily Doped Epitaxial Layers of Silicon

 

作者: S. Nielsen,   G. J. Rich,  

 

期刊: Journal of Applied Physics  （AIP Available online 1965）
卷期: Volume 36, issue 10  

页码: 3360-3361

 

ISSN:0021-8979

 

年代: 1965

 

DOI:10.1063/1.1702989

 

出版商: AIP

 

数据来源: AIP

 

 

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