The spatial distribution of Si interstitial complex produced in silicon by hydrogen ion implantation

 

作者: YuV. Gorelkinskii,   N.N. Nevinnyi,   V.A. Botvin,  

 

期刊: Radiation Effects  （Taylor Available online 1980）
卷期: Volume 49, issue 1-3  

页码: 161-164

 

ISSN:0033-7579

 

年代: 1980

 

DOI:10.1080/00337578008243086

 

出版商: Taylor & Francis Group

 

数据来源: Taylor

 

 

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