The delay-, rise-and decay-times of several types of single-heterostructure l.e.d.s differing in junction area, active-layer doping and width have been measured. A theory is presented which considers the influence of these parameters on the l.e.d. time response. A comparison of the measured and calculated pulse behaviour is given. With a proton-bombarded small area l.e.d. a transmission rate of 300 Mbit/s has been achieved.Die Verzögerungs-, Anstiegs- und Abfallzeit von verschiedenen Typen von Single-Heterostruktur LED's wurde gemessen. Die Dioden unterschieden sich in der Fläche despn-Übergangs, der Dotierung und der Weite der aktiven Zone. Eine Theorie wird dargestellt, die den Einflufβ dieser Parameter auf das Zeitverhalten beschreibt. Das berechnete und gemessene Impulsverhalten wird verglichen. Mit einer protonenimplantierten LED wurde eine Übertragungsrate von 300 Mbit/s erzielt.