Summary Abstract: Lateralp–njunction formation in GaAs molecular beam epitaxy by crystal‐plane dependent doping

 

作者: D. L. Miller,  

 

期刊: Journal of Vacuum Science&Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena  （AIP Available online 1986）
卷期: Volume 4, issue 2  

页码: 655-655

 

ISSN:0734-211X

 

年代: 1986

 

DOI:10.1116/1.583590

 

出版商: American Vacuum Society

 

关键词: GaAs

 

数据来源: AIP

 

 

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