Reaction‐Process Dependence of Barrier Height between Tungsten Silicide andn‐Type Silicon

 

作者: Yokichi Itoh,   Norikazu Hashimoto,  

 

期刊: Journal of Applied Physics  （AIP Available online 1969）
卷期: Volume 40, issue 1  

页码: 425-426

 

ISSN:0021-8979

 

年代: 1969

 

DOI:10.1063/1.1657078

 

出版商: AIP

 

数据来源: AIP

 

 

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