Summary Abstract: MBE GaAs regrowth with clean interfaces by arsenic passivation

 

作者: D. L. Miller,   R. T. Chen,   K. Elliott,   S. P. Kowalczyk,  

 

期刊: Journal of Vacuum Science&Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena  （AIP Available online 1985）
卷期: Volume 3, issue 2  

页码: 560-561

 

ISSN:0734-211X

 

年代: 1985

 

DOI:10.1116/1.583178

 

出版商: American Vacuum Society

 

数据来源: AIP

 

 

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