Erratum: “On the kinetics of growth of highly defective GaN epilayers and the origin of the deep trap responsible for yellow-band luminescence” [Appl. Phys. Lett.71, 347 (1997)]

 

作者: H. Liu,   J. G. Kim,   M. H. Ludwig,   R. M. Park,  

 

期刊: Applied Physics Letters  （AIP Available online 1997）
卷期: Volume 71, issue 17  

页码: 2544-2544

 

ISSN:0003-6951

 

年代: 1997

 

DOI:10.1063/1.120565

 

出版商: AIP

 

数据来源: AIP

 

 

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