Erratum: Measurement of electron mobility in epitaxial heavily phosphorus‐doped silicon [J. Appl. Phys.56, 2250 (1984)]

 

作者: Jesu´s A. del Alamo,   Richard M. Swanson,  

 

期刊: Journal of Applied Physics  （AIP Available online 1985）
卷期: Volume 57, issue 6  

页码: 2346-2346

 

ISSN:0021-8979

 

年代: 1985

 

DOI:10.1063/1.335508

 

出版商: AIP

 

数据来源: AIP

 

 

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