Summary Abstract: Electrical properties of MBE‐grown GaAs/N–AlGaAs heterostructures and application to high speed devices

 

作者: S. Hiyamizu,   T. Mimura,  

 

期刊: Journal of Vacuum Science&Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena  （AIP Available online 1983）
卷期: Volume 1, issue 2  

页码: 456-456

 

ISSN:0734-211X

 

年代: 1983

 

DOI:10.1116/1.582626

 

出版商: American Vacuum Society

 

数据来源: AIP

 

 

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