AbstractIm Konzentrationsbereich von 0 bis 25 at% Germanium wurde das Segregationsverhalten von Sili‐zium‐Germanium‐Einkristallen gezüchtet mit Hilfe des HF‐beheizten tiegelfreien Zonenschmelzver‐fahrens untersucht. Vollstündig versetzungsfreie Kristalle mit bis zu 8 at% Germanium wurden gezüchtet. Störungen des einkristalline Wachstum waren im wesentlichen auf konstitutionelle Unterkühlung zurückzuführen. Mittels pyrometrischer Temperaturmessung wurde der Anstieg der axialen Temperaturverteilung ΔT/ΔZin der Nähe der Wachstumsphasengrenze bestimmt und daraus die kritische Ziehgeschwindigkeit abgeleitet. Die Messungen zeigten, daß mit zunehmenden Germaniumgehalt der Temperaturgradient im