Summary Abstract: Growth of GaAs and AlGaAs on misoriented (110) GaAs by molecular‐beam epitaxy

 

作者: E. C. Larkins,   Y. C. Pao,   D. Liu,   M. J. Lin,   G. Yoffe,   J. S. Harris,  

 

期刊: Journal of Vacuum Science&Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena  （AIP Available online 1988）
卷期: Volume 6, issue 2  

页码: 636-637

 

ISSN:0734-211X

 

年代: 1988

 

DOI:10.1116/1.584375

 

出版商: American Vacuum Society

 

关键词: GaAs;(Al,Ga)As

 

数据来源: AIP

 

 

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