Comments on: ‘‘Grain boundary diffusion of phosphorus in polycrystalline silicon’’

 

作者: Herbert F. Mataré,  

 

期刊: Journal of Vacuum Science&Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena  （AIP Available online 1983）
卷期: Volume 1, issue 1  

页码: 107-107

 

ISSN:0734-211X

 

年代: 1983

 

DOI:10.1116/1.582530

 

出版商: American Vacuum Society

 

关键词: diffusion;atom transport;grain boundaries;silicon;phosphorus;microcracks

 

数据来源: AIP

 

 

点击下载:  PDF (66KB)

返 回