AbstractIn Siliziumeinkristalle unterschiedlicher Realstruktur wurde Kupfer eindiffundiert. Dabei wurden die Kristalle verschiedenen thermischen Behandlungen unterzogen. Die dadurch hervorgerufenen Ausscheidungen wurden durch Infrarotmikroskopie und durch Röntgenmikrographien sichtbar gemacht. Es werden spezifische Abhängigkeiten von der Realstruktur gefunden, die zur Erklärung des Verhaltens bestimmter Kristalle bei der Dotierung herangezogen werden kön