Summary Abstract: The growth and doping of GaAsySb1−yby molecular beam epitaxy

 

作者: T. M. Kerr,   T. D. McLean,   D. I. Westwood,   J. D. Grange,  

 

期刊: Journal of Vacuum Science&Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena  （AIP Available online 1985）
卷期: Volume 3, issue 2  

页码: 535-535

 

ISSN:0734-211X

 

年代: 1985

 

DOI:10.1116/1.583170

 

出版商: American Vacuum Society

 

数据来源: AIP

 

 

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