Summary Abstract:Insitugrown semiconductor/metal/semiconductor structures: Molecular beam epitaxial growth of tungsten layers embedded in single‐crystal GaAs

 

作者: J. P. Harbison,   D. M. Hwang,   J. Levkoff,   G. E. Derkits,  

 

期刊: Journal of Vacuum Science&Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena  （AIP Available online 1986）
卷期: Volume 4, issue 2  

页码: 662-663

 

ISSN:0734-211X

 

年代: 1986

 

DOI:10.1116/1.583594

 

出版商: American Vacuum Society

 

关键词: W;GaAs

 

数据来源: AIP

 

 

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