AbstractEin von Stranski und Honigmann angegebenes Verfahren zur Züchtung von Hexamethylentetraminkristallen aus der Dampfphase wurde verbessert und die Bedingungen für Keimbildung und Wachstum systematisch untersucht. Die Züchtung erfolgt in evakuierten Glasröhrchen in einem Metallblockthermostaten. Gekühlt wird durch eine Kupferplatte (früher Kupferstab), die an die Röhrchenwand angedrückt wird. Die Temperatur der Platte kann geregelt und gemessen werden. Die Temperaturdifferenz Δ T zwischen Ofen und Platte ist ein Maß für die Übersättigung. Man beobachtet neben der Bildung vieler Keime bei bestimmten größeren Temperaturdifferenzen auch Einzelkeimbildung bei hierfür ermittelten kleineren Differenzen. Dieser Effekt, der die Züchtung einzelner Keime bzw. Kristalle ermöglicht, wird mit dem Vorhandensein aktiver Zentren erklärt.Es gelingt die Züchtung von Kristallen, die bis zu 10 · 10 · 3 [mm] fehlerfrei wachsen, und es wird gezeigt, daß die optimale Größe guter Kristalle von der Orientierung der Kristalle zur Unterlage und ihren Wärmeleitungseigenschaften abhängt.Aus den unterschiedlichen Werten von Keimbildungshäufigkeit und Wachstumsgeschwindigkeit in verschiedenen Röhrchen wird geschlossen, daß Keimbildung und Wachstum durch Adsorptionsschichten auf der Glasunterlage und den Kristalloberflächen erheblich beeinflußt werden.Ferner wird festgestellt, daß Adsorptionsschichten auf der Kristalloberfläche notwendig sind, um fehlerfreies Wachstum z