OPTICAL PROPERTIES AND THERMAL BEHAVIOR OF NEW ABSORPTION BANDS IN OXYGEN‐DOPED SILICON IRRADIATED AT LOW TEMPERATURES

 

作者: R. E. Whan,  

 

期刊: Applied Physics Letters  （AIP Available online 1966）
卷期: Volume 8, issue 6  

页码: 131-132

 

ISSN:0003-6951

 

年代: 1966

 

DOI:10.1063/1.1754520

 

出版商: AIP

 

数据来源: AIP

 

 

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