Vapour pressure controlled Czochralski (VCZ) growth — a method to produce electronic materials with low dislocation density

 

作者: P. Rudolph,   M. Neubert,   S. Arulkumaran,   M. Seifert,  

 

期刊: Crystal Research and Technology  （WILEY Available online 1997）
卷期: Volume 32, issue 1  

页码: 35-50

 

ISSN:0232-1300

 

年代: 1997

 

DOI:10.1002/crat.2170320104

 

出版商: WILEY‐VCH Verlag

 

数据来源: WILEY

 

 

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