Summary Abstract: Improved material properties of GaAs grown on novel substrate orientations

 

作者: P. N. Uppal,   J. S. Ahearn,   J. W. Little,  

 

期刊: Journal of Vacuum Science&Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena  （AIP Available online 1988）
卷期: Volume 6, issue 2  

页码: 597-598

 

ISSN:0734-211X

 

年代: 1988

 

DOI:10.1116/1.584406

 

出版商: American Vacuum Society

 

关键词: GaAs;(Al,Ga)As

 

数据来源: AIP

 

 

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