Theoretical Analysis of the Carrier Effective Mass in Inversion Layers on II‐VI Semiconductors

 

作者: K. P. Ghatak,   N. Chatterjee,   M. Mondal,  

 

期刊: physica status solidi (b)  （WILEY Available online 1987）
卷期: Volume 139, issue 1  

页码: 25-30

 

ISSN:0370-1972

 

年代: 1987

 

DOI:10.1002/pssb.2221390141

 

出版商: WILEY‐VCH Verlag

 

数据来源: WILEY

 

 

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