Summary Abstract: Elimination of low‐temperature drainI–Vcollapse of selectively doped (Al,Ga)As/GaAs heterostructure transistors by a modulation‐doped superlattice donor layer

 

作者: C. W. Tu,   J. Chevalliers,   R. H. Hendel,   R. Dingle,   P. F. Sciortino,   T. M. Brennan,  

 

期刊: Journal of Vacuum Science&Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena  （AIP Available online 1985）
卷期: Volume 3, issue 2  

页码: 802-802

 

ISSN:0734-211X

 

年代: 1985

 

DOI:10.1116/1.583107

 

出版商: American Vacuum Society

 

数据来源: AIP

 

 

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