Positive Ionen in Isolatorfilmen vergröβern das Oberflächenpotential und beeirken infolge ihrer Drift Instabilitäten der Bauelemente, insbesondere bei erhöhten Temperaturen. Dadurch sind Isolatoren mit einer hohen Konzentration an positiven Ionen als Gateisolation beispielsweise ungeeignet. Auβerdem können durch Bildung einer Oberflācheninversion an der Oberflāche liegende p/n-Übergānge unbrauchbar werden. Durch eine geeignete Nachbehandlung ist es jedoch möglich, die Eigenschaften solcher Filme wesentlich zu verbessern. Um die Vorteile der bei niedrigen Temperaturen (T ≦400 °C) erzeugten Isolatorfilme nicht zu beseitigen, wurde am Beispiel von SiO2ein Verfahren ausgearbeitet, das es gestallet, die Konzentration von Alkali-Ionen im Temperaturbereich zwischen Zimmertemperatur and 250 ° C zu verrigern. Die Methode läβt sich auβer fūr Siliziumdioxid auch fūr andere Isolatorfilme und Ionen verwenden.