Erratum: ‘‘Gettering of donor impurities by V in GaAs and the growth of semi‐insulating crystals’’ [J. Appl. Phys.66, 3309 (1989)]

 

作者: K. Y. Ko,   J. Lagowski,   H. C. Gatos,  

 

期刊: Journal of Applied Physics  （AIP Available online 1990）
卷期: Volume 67, issue 3  

页码: 1621-1621

 

ISSN:0021-8979

 

年代: 1990

 

DOI:10.1063/1.346112

 

出版商: AIP

 

数据来源: AIP

 

 

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