Summary Abstract: The influence of growth conditions on sulfur and selenium incorporation in Ga1−xAlxAs grown by molecular beam epitaxy

 

作者: G. J. Davies,   R. Heckingbottom,   D. A. Andrews,  

 

期刊: Journal of Vacuum Science&Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena  （AIP Available online 1984）
卷期: Volume 2, issue 2  

页码: 186-187

 

ISSN:0734-211X

 

年代: 1984

 

DOI:10.1116/1.582775

 

出版商: American Vacuum Society

 

数据来源: AIP

 

 

点击下载:  PDF (122KB)

返 回