Summary Abstract: Simultaneous exposure of SiO2and ThF4to XeF2and energetic electrons

 

作者: M. A. Loudiana,   J. T. Dickinson,  

 

期刊: Journal of Vacuum Science&Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena  （AIP Available online 1985）
卷期: Volume 3, issue 5  

页码: 1393-1396

 

ISSN:0734-211X

 

年代: 1985

 

DOI:10.1116/1.582998

 

出版商: American Vacuum Society

 

关键词: SiO2;ThF4

 

数据来源: AIP

 

 

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