Erratum: “Further evidence for the quantum confined electrochemistry model of the formation mechanism ofp−-type porous silicon” [Appl. Phys. Lett.69,3399 (1996)]

 

作者: L. Jia,   S. L. Zhang,   S. P. Wong,   I. H. Wilson,   S. K. Hark,   Z. F. Liu,   S. M. Cai,  

 

期刊: Applied Physics Letters  （AIP Available online 1997）
卷期: Volume 70, issue 7  

页码: 912-912

 

ISSN:0003-6951

 

年代: 1997

 

DOI:10.1063/1.119267

 

出版商: AIP

 

数据来源: AIP

 

 

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