Erratum: Effect of substrate temperature on migration of Si in planar‐doped GaAs [Appl. Phys. Lett.53, 2504 (1988)]

 

作者: M. Santos,   T. Sajoto,   A. Zrenner,   M. Shayegan,  

 

期刊: Applied Physics Letters  （AIP Available online 1989）
卷期: Volume 55, issue 6  

页码: 603-603

 

ISSN:0003-6951

 

年代: 1989

 

DOI:10.1063/1.102377

 

出版商: AIP

 

数据来源: AIP

 

 

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