AbstractIn der vorliegenden Arbeit werden Untersuchungen der Leitfähigkeitsänderung dünner Kupferoxydul‐Schichten bie elektrostatischer Aufladung (Feldeffekt) beschrieben. Leitfähigkeit und Feldeffekt werden in Abhängigkeit von den Herstellungsbedienungen (Sauerstoffdruck, Temperatur, Abkühlung) gemessen. Während die Leitfähigkeit einen auch von anderen Autoren bei kompaktem Material gefundenen Gang mit dem Sauerstoffdruck einer vorhergehenden Temperung aufweist, läßt sich ein Einfluß auf den Feldeffekt wegen der großen Exemplarstreuung nicht nachweisen. Der Effekt zeigt eine starke Abhängigkeit von der umgebenden Gasatmosphäre. Wie zu erwarten, wird die gesamte Schicht durch die Adsorption verschiedener Fremdgase stark beeinflußt.Im Vakuum wurde der Feldeffekt zwischen −56° und +30 °C untersucht. Bei Zimmertemperatur stimmen die Ergebnisse befriedigend mit denen von Zückler überein. Bei tiefen Temperaturen zeigt sich jedoch nach Anlegen des elektrischen Feldes ein bisher nicht