AbstractDie Lage SiOY‐charakteristischer IR‐Banden sowie die relative Basizität bzw. Acidität von Me3SiOY und Me5Si2OY wurden mit entsprechenden Daten von Verbindungen des allgemeinen Typs XMe2SiOX verglichen (X = Halogenmethyl, Benzyl, α‐Halogenbenzyl; Y = H, Alkyl, Phenyl, SiMe2X).Die Meßdaten zeigen gute lineare Beziehungen zu den Taftschen σ*‐Konstanten, mit Ausnahme der Werte für die Disilanyl‐Verbindungen (X = Me3Si). Diese Abweichungen werden durch einen spezifischen Acceptorcharakter der Si