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ChemInform Abstract: INFLUENCE OF GAS‐PHASE STOICHIOMETRY ON THE DEFECT MORPHOLOGY, IMPURITY DOPING, AND ELECTROLUMINESCENCE EFFICIENY OF VAPOR‐GROWN GAAS P‐N JUNCTIONS

 

作者: R. E. ENSTROM,   C. J. NUESE,   J. R. APPERT,   J. J. GANNON,  

 

期刊: Chemischer Informationsdienst  （WILEY Available online 2016）
卷期: Volume 6, issue 6  

页码: -

 

ISSN:0009-2975

 

年代: 2016

 

DOI:10.1002/chin.197506008

 

出版商: WILEY‐VCH Verlag GmbH

 

数据来源: WILEY

 

摘要:

AbstractDie Defektmorphologie von aus der Dampfphase erhaltenen [100]‐orientierten epitaktischen GaAs‐Schichten hängt nicht vom Verhältnis HCl/AsH3 (oder Ga/As) in der Dampfphase ab.

 

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