Kieselglas höchster Reinheit wird umfangreich bei den Hochtemperaturprozessen der Halbleiterfertigung eingesetzt, um unerwünschte Spurenelementkontaminationen, insbesondere der Alkali-Ionen zu vermeiden. Andererseits ist bekannt, daß Na+-Ionen eine hohe Beweglichkeit im Kieselglas besitzen. Deshalb wurde die thermische Beweglichkeit von Na+-Ionen in verschiedenen Kieselgläsern (Herasil, SQ1, inhomogenes Kieselglas) im Hochtemperaturbereich bis 1400°C mittels Radionuklidtracertechnik (21Na-Aktivierungstechnik) bestimmt. Unter Verwendung einer speziell entwickelten Schlifftechnik konnten autoradiographisch die Tiefenverteilungen des eindiffundierten21Na abgebildet und über die Schwärzungsverteilung die Diffusionskoeffizienten und Aktivierungsenergien der Na+-Diffusion berechnet werden.