Die ständigc Verbesserung der Reinheit der Halbleiterwerkstoffe verlangt auch eine entsprechende Verbesserung der Nachweisgrenzen der zur Bestimmung der Verunreinigungen verwendeten Analysenverfahren. Obwohl sich die Aktivierungsanalyse als das empfindlichste und zuverlässigste Analysenverfahren zur Bestimmung der Verunreinigungskonzentrationen in Festkörpern durchgesetzt hat, gibt es doch einige Elemente, zu deren Bestimmung die Nachweisgrenze der herkömmlichen aktivierungsanalytischen Verfahren nieht ausreicht.