Summary Abstract: Hot‐electron transport in the AlSb/InAs/GaSb double heterostructure prepared by molecular‐beam epitaxy

 

作者: T. H. Chiu,   A. F. J. Levi,  

 

期刊: Journal of Vacuum Science&Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena  （AIP Available online 1988）
卷期: Volume 6, issue 2  

页码: 674-675

 

ISSN:0734-211X

 

年代: 1988

 

DOI:10.1116/1.584387

 

出版商: American Vacuum Society

 

关键词: AlSb;InAs;GaSb

 

数据来源: AIP

 

 

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