Erratum: Rapid heteroepitaxial growth of Ge films on (100) GaAs by pulsed supersonic free‐jet chemical beam epitaxy [Appl. Phys. Lett.55, 1008 (1989)]

 

作者: Djula Eres,   D. H. Lowndes,   J. Z. Tischler,  

 

期刊: Applied Physics Letters  （AIP Available online 1990）
卷期: Volume 56, issue 8  

页码: 793-793

 

ISSN:0003-6951

 

年代: 1990

 

DOI:10.1063/1.103336

 

出版商: AIP

 

数据来源: AIP

 

 

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