Summary Abstract: Molecular‐beam epitaxy and atomic‐layer epitaxy growth mechanisms for ZnSe(100)

 

作者: H. H. Farrell,   M. C. Tamargo,   J. L. de Miguel,  

 

期刊: Journal of Vacuum Science&Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena  （AIP Available online 1988）
卷期: Volume 6, issue 2  

页码: 767-768

 

ISSN:0734-211X

 

年代: 1988

 

DOI:10.1116/1.584369

 

出版商: American Vacuum Society

 

关键词: ZnSe

 

数据来源: AIP

 

 

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