Die Aktivierungsanalyse wurde erfolgreich zur Ermittlung von Konzentrationsprofilen von Dotierungselementen in Silizium angewandt. Im Gegensatz zu Leitfähigkeitsmessungen erhält man Informationen über die Konzentration der einzelnen Elemente unabhängig von ihrer Wertigkeit. Bei Diffusionsversuchen mit Phosphor und Gallium in Silizium wurde festgestellt, daβ der Diffusionskoeffizient mit wachsender Konzentration der Dotierungselemente bzw. mit wachsender Konzentration der gleichartig geladenen Vordotierungselemente gröβer wird.