Summary Abstract: Elastic and inelastic tunneling characteristics of AlAs/GaAs heterojunctions

 

作者: R. T. Collins,   J. Lambe,   T. C. McGill,   R. D. Burnham,  

 

期刊: Journal of Vacuum Science&Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena  （AIP Available online 1984）
卷期: Volume 2, issue 3  

页码: 597-598

 

ISSN:0734-211X

 

年代: 1984

 

DOI:10.1116/1.582845

 

出版商: American Vacuum Society

 

关键词: AlAs;GaAs

 

数据来源: AIP

 

 

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