Erratum: “Strain and relaxation effects in InAsP/InP multiple quantum well optical modulator devices grown by metal-organic vapor phase epitaxy” [J. Appl. Phys.81, 1905 (1997)]

 

作者: R. Y.-F. Yip,   A. Aı¨t-Ouali,   A. Bensaada,   P. Desjardins,   M. Beaudoin,   L. Isnard,   J. L. Brebner,   J. F. Currie,   R. A. Masut,  

 

期刊: Journal of Applied Physics  （AIP Available online 1997）
卷期: Volume 82, issue 12  

页码: 6372-6372

 

ISSN:0021-8979

 

年代: 1997

 

DOI:10.1063/1.366538

 

出版商: AIP

 

数据来源: AIP

 

 

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