Transient High‐Energy Radiation‐Induced Free‐Carrier Absorption in Silicon

 

作者: W. M. Peffley,  

 

期刊: Journal of Applied Physics  （AIP Available online 1969）
卷期: Volume 40, issue 8  

页码: 3416-3417

 

ISSN:0021-8979

 

年代: 1969

 

DOI:10.1063/1.1658210

 

出版商: AIP

 

数据来源: AIP

 

 

点击下载:  PDF (178KB)

返 回