Summary Abstract: Deep levels in AlGaAs/GaAs modulation‐doped structures grown by molecular beam epitaxy

 

作者: A. J. Valois,   G. Y. Robinson,  

 

期刊: Journal of Vacuum Science&Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena  （AIP Available online 1986）
卷期: Volume 4, issue 2  

页码: 550-550

 

ISSN:0734-211X

 

年代: 1986

 

DOI:10.1116/1.583427

 

出版商: American Vacuum Society

 

关键词: (Al,Ga)As;GaAs

 

数据来源: AIP

 

 

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