Depth profile measurements of copper in silicon by ion-induced x-ray emission

 

作者: F. Bernhard,   H. Kerkow,   F. Kudella,  

 

期刊: Radiation Effects  （Taylor Available online 1980）
卷期: Volume 49, issue 1-3  

页码: 107-111

 

ISSN:0033-7579

 

年代: 1980

 

DOI:10.1080/00337578008243076

 

出版商: Taylor & Francis Group

 

数据来源: Taylor

 

 

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