R. E. ENSTROM, C. J. NUESE, J. R. APPERT, J. J. GANNON,
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摘要:
AbstractDie Defektmorphologie von aus der Dampfphase erhaltenen [100]‐orientierten epitaktischen GaAs‐Schichten hängt nicht vom Verhältnis HCl/AsH3 (oder Ga/As) in der Dampfphase ab.
ISSN:0009-2975
DOI:10.1002/chin.197506008
出版商:WILEY‐VCH Verlag GmbH
年代:2016
数据来源: WILEY
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